全新LSI SandForce(R) SSD控制器推高閃存性能
時間:2013-11-25 16:42 來源:美通社 責任編輯:青青
客戶端性能超過1.8GB/s,支持 PCIe及SATA雙接口,針對客戶端、企業(yè)與超大規(guī)模環(huán)境優(yōu)化
LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布市場領先的SandForce®閃存控制器產(chǎn)品系列推出第三代。這項業(yè)界最廣泛部署的閃存管理技術適用于驅動PCIe®及SATA固態(tài)硬盤(SSD)以及閃存卡解決方案。 LSI® SandForce SF3700 閃存控制器系列旨在支持低功耗客戶端計算應用、I/O密集型企業(yè)以及超大規(guī)模環(huán)境,可提供更高水平的閃存性能、可靠性與耐久度,充分滿足SSD制造商的嚴格要求。
SF3700系列是業(yè)界首款能夠在單個部件中支持原生PCIe Gen2 x4及SATA 6Gb/s主機接口的閃存控制器,提高靈活性。這種獨特功能不僅可顯著簡化SSD設計,而且還有助于顯著降低SSD制造商的開發(fā)與制造成本。由于SF3700系列支持PCIe接口,因而用戶可實現(xiàn)超過1.8GB/s順序讀取的突破性客戶端性能,與基于SATA的解決方案相比,性能銳升3倍。
LSI副總裁兼閃存組件部總經(jīng)理Huibert Verhoeven表示:“從日常生活到超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心,閃存存儲解決方案都在改變著數(shù)據(jù)存儲的速度與效率。SF3700系列采用重新設計的全新架構,可提供無與倫比的閃存性能與超長使用壽命,驅動當前及未來便攜式客戶端計算、企業(yè)以及大量數(shù)據(jù)應用。”
英特爾公司副總裁兼NVM解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示:“英特爾始終致力于提供針對客戶特定需求進行優(yōu)化的獨特產(chǎn)品,期待包括采用 LSI SF3700 PCIe控制器系列在內的PCIe客戶端能夠在業(yè)界得以加速普及,幫助確?蛻魹槊靠顟门鋫淅硐氲慕鉀Q方案。”
業(yè)界首款LSI SandForce SF3700的特性與優(yōu)勢:
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原生PCIe和SATA接口:M.2型卡采用SF3700閃存控制器的業(yè)內獨有PCIe和SATA雙接口設計,可使用簡單的制造跳線來選擇最終所需的接口,實現(xiàn)更好的庫存及成本管理。SF3700系列的PCIe接口支持AHCI與NVMe協(xié)議,可實現(xiàn)原有的應用PCIe閃存的加速解決方案以及高效的NVMe閃存存儲應用的加速解決方案。
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優(yōu)化的DuraWrite™數(shù)據(jù)壓縮:閃存尺寸不斷縮小,可靠性趨于更低,SandForce 控制器獨有的數(shù)據(jù)壓縮技術將多項技術完美整合,可延長NAND閃存存儲器的使用壽命。SF3700系列優(yōu)化的DuraWrite數(shù)據(jù)壓縮技術可進一步降低寫入放大和寫入擦除(P/E)周期數(shù)量,有助于最大限度提高SSD的耐久度。
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SHIELD™糾錯:該技術實現(xiàn)了針對閃存優(yōu)化的低密度奇偶校驗 (LDPC)碼,將硬判決、軟判決以及數(shù)字信號處理(DSP)與獨特的自適應糾錯代碼率相結合,延長閃存存儲器的使用壽命,顯著提高數(shù)據(jù)完整性。這可幫助SSD制造商即便在使用較低成本的閃存顆粒時,也可以實現(xiàn)企業(yè)級產(chǎn)品的生命周期與數(shù)據(jù)完整性。
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增強型RAISE™技術:獨立硅元素冗余陣列技術(RAISE)類似于RAID,可以在單個驅動器環(huán)境中防止閃存頁、塊及整個晶片故障,實現(xiàn)專門針對SSD而設計的 數(shù)據(jù)保護等級。SF3700系列獨特的第九通道容納額外的閃存封裝,可實現(xiàn)更多的RAISE保護及用戶容量選擇。
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雙AES-256加密:數(shù)據(jù)安全是當前數(shù)字時代的一個重要組成部分,SF3700系列企業(yè)級控制器支持獨特的雙AES-256驅動級加密,可在不給主處理器帶來額外負載的情況下保護數(shù)據(jù)。TCG Opal及企業(yè)規(guī)范支持選項,不僅可確保廣泛的互操作性,而且還可簡化數(shù)據(jù)安全管理。
LSI SF3700系列控制器可提供高達2TB的最大容量以及9通道ONFI-3/Toggle-2閃存接口。它們的高靈活模塊化架構可快速升級至新的主機接口和介質類型,不僅可在新產(chǎn)品間實現(xiàn)重要固件的重用,而且可以在整個產(chǎn)品生命周期內不斷創(chuàng)新,加速產(chǎn)品上市進程,更好地支持客戶特定的產(chǎn)品定制,并可為SSD制造商和系統(tǒng)OEM廠商延長產(chǎn)品生命周期。
LSI于當周在科羅拉多州丹佛市舉行的 SC13 大會以及加利福尼亞州圣何塞舉行的 LSI加速創(chuàng)新峰會 (AIS)上演示這些 的SF3700系列控制器。
AIS演示將使用東芝第二代高級19納米(A19nm) NAND閃存存儲器展示SF3700系列1.8GB/s順序讀取的突破性客戶端性能。LSI還展示了支持Micron、SanDisk以及東芝等閃存存儲器廠商的初始參考設計。此外,SandForce閃存控制器客戶ADATA、Avant以及Kingston展示了基于SF3700的PCIe與SATA SSD產(chǎn)品。
LSI SF3700閃存控制器現(xiàn)已開始針對部分SSD OEM客戶提供樣品,預計將于2014上半年開始批量供貨。
如欲了解LSI SandForce閃存控制器的更多信息,敬請訪問。
客戶引言:
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Shalley Chen,ADATA公司執(zhí)行副總裁:
“ADATA不斷與LSI開展SandForce產(chǎn)品合作,正在采用2.5”和M.2型固態(tài)硬盤支持SF3700閃存控制器的初期演示。我們深信SF3700系列可為PCIe領域提供極具競爭力的解決方案,并期待向市場推出基于這種 控制器的產(chǎn)品。”
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Paul Goodwin,Avant 公司首席技術官:
“Avant是客戶端和企業(yè)級市場中領先的DRAM存儲器模塊和固態(tài)硬盤提供商,同時,與LSI SandForce產(chǎn)品正在進行的合作關系是Avant在該領域中不斷取得成功的基礎。我們設計的SATA和PCIe SSD采用了SandForce SF3700控制器系列,該系列的 和增強功能對滿足客戶在性能、可靠性和降低功耗方面的需求至關重要。”
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Ariel Perez,Kingston 公司SSD部門業(yè)務經(jīng)理:
“我們認為LSI SandForce SF3700控制器系列能夠改變游戲規(guī)則,有助于我們進一步擴展Kingston的SSD 產(chǎn)品組合,滿足客戶與合作伙伴社區(qū)不斷發(fā)展的數(shù)據(jù)存儲需求。從支持I/O密集型大數(shù)據(jù)和虛擬工作負載到功率敏感型的客戶端計算應用,SF3700系列都能讓我們構建穩(wěn)定可靠的PCIe和SATA SSD最優(yōu)化解決方案,滿足企業(yè)與客戶端應用的需求。”
技術合作伙伴引言:
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Paul Petersen,Micron公司NAND組件部市場營銷總監(jiān):
“Micron正在與LSI開展合作,以確保 SandForce SF3700系列控制器支持Micron的128Gb MLC NAND閃存存儲器技術。這些 閃存存儲解決方案將提供高性能及出色的可靠性和持久性,滿足企業(yè)和客戶端計算應用要求。”
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Scott Nelson,東芝美國電子元件公司存儲器業(yè)務部高級副總裁:
“隨著制造尺寸的不斷縮小,LSI SandForce閃存控制器已成為提高SSD閃存可靠性與耐久度的關鍵技術。東芝 的19nm (A19nm) NAND是世界上最小的MLC 64Gb NAND閃存存儲器。我們很高興能與LSI合作,實現(xiàn) SandForce SF3700 控制器在固態(tài)硬盤中支持東芝A19nm NAND的首次公開演示。”
業(yè)界分析師引言:
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Greg Wong,F(xiàn)orward Insights創(chuàng)始人和首席分析師:
“業(yè)界迫切希望屢獲殊榮且得到廣泛部署的LSI SandForce閃存控制器推出新一代產(chǎn)品。它采用的 架構和增強功能可用于應對TLC和未來NAND技術的挑戰(zhàn)。作為最暢銷系列交鑰匙閃存控制器解決方案的繼任產(chǎn)品,SF3700系列有望成為閃存在個人計算和數(shù)據(jù)中心環(huán)境中得到廣泛普及的主要推手。”
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Jeff Janukowicz,IDC公司研究總監(jiān):
“信息需求的增加正在推動閃存解決方案在企業(yè)中的普及,從而實現(xiàn)以低成本方式加速數(shù)據(jù)訪問,提高數(shù)據(jù)中心效率。SandForce SF3700這種帶有原有PCIe接口支持的高級閃存控制器對優(yōu)化企業(yè)閃存實現(xiàn)方案將起到關鍵作用,并有助于克服因NAND閃存類型不斷發(fā)展而產(chǎn)生的持久性變短、可靠性變差以及ECC要求更高等難題。”
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Jim Handy,Objective Analysis半導體分析師:
“PCIe接口在PC和企業(yè)中的重要性日益增加。LSI的 SF3700閃存控制器系列正順應了這種趨勢,而它的升級功能在克服TLC和未來NAND類型挑戰(zhàn)方面將起到極其重要的作用。”
關于 LSI
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